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業界ニュース

どうやってPI錫めっき製造過程で錫スラグの発生を避けるのか。

Time:2025-02-25Number:485

PI(ポリイミド)錫めっき膜重要な電子材料として、優れた電気絶縁性、耐熱性、機械的強度のため、電子、通信、航空宇宙などの分野で広く応用されている。しかし、PI錫めっき膜の製造過程において、錫スラグの発生は生産企業を悩ませる重要な問題である。スズスラグは製品の品質と性能に影響を与えるだけでなく、生産コストも増加する。本文はどのようにPI錫めっき製造過程で錫スラグの発生を回避し、先進院(深セン)科学技術有限公司の関連研究成果と実践経験を導入するかを検討する。

1.メッキプロセスパラメータの最適化

制御電流密度:電流密度分布が均一であることを確保し、局所電流密度が大きすぎてスズの堆積が早すぎることを回避し、それによってスズスラグを形成する。これは、電極とめっき槽構造を合理的に設計することによって実現することができる。

めっき液成分の調整:めっき液中のスズイオン濃度、添加剤などの成分の適切な割合を維持し、成分のアンバランスによるスズスラグの発生を避ける。めっき液成分の定期的な検出と調整が鍵となる。

めっき時間と温度を制御する:長すぎるめっき時間と高すぎるめっき温度はいずれもスズの酸化と堆積の不均一を加速させ、それによってスズスラグの発生を増加させる可能性がある。そのため、具体的な状況に応じてめっき時間と温度を合理的に設定しなければならない。

2.高品質のめっき材料と設備を使用する

高純度スズ材料の選択:高純度スズ材料は不純物を少なく含み、スズスラグの発生を減らすのに役立つ。

定期的にめっき設備を維持する:めっき槽、電極などの設備の清潔と完全を確保し、設備の老化或いはメンテナンスの不当による錫滓問題を回避する。镀锡膜

3.酸化防止剤の添加

めっき液に酸化防止剤を適量添加することで、スズの酸化焼損を効果的に低減し、スズスラグの発生を低減することができる。酸化防止剤の選択と使用量は具体的な状況に応じて最適化されなければならない。先進院(深セン)科学技術有限公司研究開発された高効率スズ液抗酸化添加剤は、スズ、ジルコニウム、リン、ハフニウムなどの多種の金属元素から構成され、めっき層の表面構造と耐食性性能を著しく改善することができ、同時にスズスラグの発生を減少することができる。

4.前処理と後処理ステップを強化する

基材表面を十分に洗浄する:めっき前に、PI基材表面を十分に洗浄し、酸化物、油脂などの不純物を除去し、錫層と基材の良好な結合を確保する。

錫めっき後に十分に洗浄する:錫めっきが完成した後、十分な冷熱水洗浄を行い、残留した不純物と酸化物を除去し、錫層の酸化速度を遅くする。

5.設備設計と操作プロセスの改善

スズ液と空気との接触面積を減らす:導流装置と酸化防止ジャケットなどの方式を増やすことによって、スズ液のめっき過程における暴露面積を減らし、それによって酸化量を下げる。

液体スズの流れを合理的に配置する:ピーク溶接などの過程で、液体スズの流れの高さと速度を合理的に配置し、空気との接触時間を減少し、スズスラグの発生を減少するのに役立つ。

6.トレーニングと操作規範

オペレータの育成:オペレータの技能と意識を高め、めっき技術パラメータと操作プロセスを熟知し、各操作規範を正確に実行できるようにする。

厳格な操作規程を制定し、実行する:めっき過程における各操作要求と注意事項を明確にし、各ステップが標準に従って実行されることを確保する。镀锡膜

先進院(深セン)科学技術有限公司の実践

先進院(深セン)科学技術有限公司はPI錫めっき膜製造過程で豊富な経験を積んだ。同社は絶えず技術革新と実践探索を通じて、スズスラグの発生を回避するための完全なソリューションを形成した。例えば、同社はめっきプロセスパラメータの最適化、高品質のめっき材料と設備の使用、自主開発の酸化防止剤の添加などの措置を通じて、スズスラグの発生率を著しく低下させ、PIスズめっき膜の品質と性能を高めた。

結論

PIスズめっき膜の製造過程におけるスズスラグの発生を回避するためには、めっきプロセスパラメータの最適化、高品質のめっき材料と設備の使用、酸化防止剤の添加、前処理と後処理ステップの強化、設備設計と操作フローの改善、トレーニングと操作規範の改善など、多くの方面から着手する必要がある。これらの措置を総合的に応用し、先進院(深セン)科学技術有限公司などの企業の実践経験と技術支援を結合することにより、錫スラグの発生率を著しく低下させ、PI錫めっき膜の品質と性能を高め、関連業界の発展に有力な保障を提供することができる。
上記のデータは参考にしてください。具体的な性能は生産プロセスと製品仕様によって異なる可能性があります。
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